关于STM32F103C8T6内部Flash划分的详细说明
因为STM32的内部FLASH大小不一，不同的大小划分是不一样的，但是大同小
2023-07-08 17:09:24
关于STM32F103C8T6内部Flash划分的详细说明
2023-07-08 17:09:24 来源：小李的创客实验室
因为STM32的内部FLASH大小不一，不同的大小划分是不一样的，但是大同小异这里是以STM32F103C8T6为例进行说明。
基础知识补充：1 字节 = 8 位（bit）1 千字节（KB）= 1024 字节1 兆字节（MB）= 1024 千字节（KB）1 吉字节（GB）= 1024 兆字节（MB）1 太字节（TB）= 1024 吉字节（GB）下面是关于STM32F103C8T6内部Flash划分的详细说明：
(资料图片)
STM32F103C8T6的内部Flash容量为64KB，即64 * 1024字节,属于小容量产品。
以下是针对STM32F1系列芯片的常见型号，按照容量范围划分的示例：
扇区划分：内部Flash存储器被划分为多个扇区，每个扇区的大小为2KB或4KB，具体划分取决于具体的芯片型号。
Flash大小为 64KB， 地址范围：0x08000000-0x08010000-1，单个扇区大小：1KB=0x400，最后一个扇区地址：0x0800FC00
Flash大小为 128KB，地址范围：0x08000000-0x08020000-1，单个扇区大小：1KB=0x400，最后一个扇区地址：0x0801FC00
Flash大小为 256KB，地址范围：0x08000000-0x08040000-1，单个扇区大小：2KB=0x800，最后一个扇区地址：0x0803F800
Flash大小为 512KB，地址范围：0x08000000-0x08080000-1，单个扇区大小：2KB=0x800，最后一个扇区地址：0x0807F800
STM32的内部FLASH是干什么用的？STM32的内部Flash主要用于存储程序代码（固件）和只读数据。
程序代码（固件）：内部Flash是存储微控制器的程序代码的主要地方。它包含了应用程序的指令集，包括启动代码、中断处理程序、函数和其他执行代码。这些代码定义了系统的功能和行为。通常是编译生成的HEX文件或者BIN文件。只读数据：内部Flash还可以用于存储只读数据，如常量、配置信息和校准数据等。这些数据在程序执行期间是只读的，不会被修改。Bootloader：一些STM32芯片内置了Bootloader，它是一个特殊的程序，用于在启动时加载和更新应用程序的固件。Bootloader通常存储在内部Flash的特定区域，并负责固件的升级和管理。STM32的内部FLASH该如何读写数据呢？读写内部FLASH的一般步骤在STM32微控制器中，内部Flash的读写操作通常通过以下步骤进行：
启用Flash访问：在进行Flash读写之前，需要先启用对Flash的访问权限。这可以通过设置Flash控制寄存器（FLASH_CR）中的特定位来实现。例如，将FLASH_CR的PG位设置为1，表示启用对Flash的编程访问。解锁Flash：在进行Flash编程之前，需要解锁Flash以允许对其进行写操作。通过向FLASH_KEYR寄存器写入特定值来解锁Flash。要解锁Flash，首先写入0x45670123，然后立即写入0xCDEF89AB到FLASH_KEYR寄存器。检查Flash状态：在进行Flash编程之前，需要检查Flash是否处于忙碌状态。可以通过读取FLASH_SR寄存器中的BSY位来判断Flash是否处于忙碌状态。如果BSY位为1，表示Flash正在执行操作，需要等待。执行Flash编程：Flash编程可以通过直接写入特定地址处的数据来实现。要编程Flash，将要写入的数据写入Flash目标地址。请注意，写入操作是按字进行的，即每次写入4个字节。可以使用特定的函数或指针访问要编程的Flash地址。等待Flash操作完成：在执行Flash编程后，需要等待编程操作完成。可以通过轮询FLASH_SR寄存器中的BSY位来检查Flash是否仍处于忙碌状态。当BSY位为0时，表示Flash操作已完成。锁定Flash：完成Flash编程后，应该锁定Flash以防止意外修改。通过将FLASH_CR寄存器中的LOCK位设置为1，可以锁定Flash。请注意，进行Flash编程时需要小心，因为不正确的操作可能会导致Flash数据的损坏。建议在编程Flash之前仔细阅读相关的芯片参考手册，并按照手册中提供的准确步骤和注意事项进行操作。需要注意的是可以使用官方提供的库和API函数来简化Flash读写的操作。
库函数接口操作内部FLASH接口解析解锁Flash代码解析/** * @brief Unlocks the FLASH Bank1 ProgramErase Controller. * @noteThis function canbe used forall STM32F10x devices. * - For STM32F10X_XL devices this function unlocks Bank1. * - For all other devices it unlocks Bank1 and it is * equivalent to FLASH_Unlock function. * @param None * @retval None */void FLASH_UnlockBank1(void){ /* Authorize the FPEC of Bank1 Access */ FLASH- >KEYR = FLASH_KEY1; FLASH- >KEYR = FLASH_KEY2;}这段代码是用于解锁STM32的Bank1程序擦除控制器（Program Erase Controller）。以下是该代码的解释：该函数用于解锁STM32的Bank1程序擦除控制器，适用于所有STM32F10x系列的设备。对于STM32F10X_XL系列的设备，该函数解锁Bank1。对于其他设备，它解锁Bank1并等效于FLASH_Unlock函数。该函数没有参数。函数的返回值为None。函数内部的操作是通过向FLASH- >KEYR寄存器写入特定值来实现解锁。具体来说，两次写入FLASH_KEY1（宏定义的值）到FLASH- >KEYR寄存器，以解锁Bank1的访问权限。/** * @brief Unlocks the FLASH Bank2 Program Erase Controller. * @note This function can be used only for STM32F10X_XL density devices. * @param None * @retval None */void FLASH_UnlockBank2(void){ /* Authorize the FPEC of Bank2 Access */ FLASH- >KEYR2 = FLASH_KEY1; FLASH- >KEYR2 = FLASH_KEY2;}/** * @brief Unlocks the FLASH Program Erase Controller. * @note This function can be used for all STM32F10x devices. * - For STM32F10X_XL devices this function unlocks Bank1 and Bank2. * - For all other devices it unlocks Bank1 and it is equivalent * to FLASH_UnlockBank1 function.. * @param None * @retval None */void FLASH_Unlock(void){ /* Authorize the FPEC of Bank1 Access */ FLASH- >KEYR = FLASH_KEY1; FLASH- >KEYR = FLASH_KEY2;#ifdef STM32F10X_XL /* Authorize the FPEC of Bank2 Access */ FLASH- >KEYR2 = FLASH_KEY1; FLASH- >KEYR2 = FLASH_KEY2;#endif /* STM32F10X_XL */}/* FLASH Keys */#define RDP_Key ((uint16_t)0x00A5)#define FLASH_KEY1 ((uint32_t)0x45670123)#define FLASH_KEY2 ((uint32_t)0xCDEF89AB)1. RDP_Key： 这是用于设置读保护(RDP)级别的密钥。读保护是一种保护机制，用于防止未授权的读取对Flash的访问。通过将RDP_Key写入特定的Flash寄存器，可以设置读保护级别。0x00A5是预定义的RDP_Key值。2. FLASH_KEY1和FLASH_KEY2： 这两个密钥是用于解锁Flash的访问权限的。当需要对Flash进行编程、擦除等操作时，需要先解锁Flash。FLASH_KEY1和FLASH_KEY2是两个32位的特定值，通过连续写入这两个值到FLASH- >KEYR寄存器，可以解锁Flash的访问权限。FLASH_KEY1的值为0x45670123，FLASH_KEY2的值为0xCDEF89AB。/** * @brief Locks the FLASH Bank1 Program Erase Controller. * @note this function can be used for all STM32F10x devices. * - For STM32F10X_XL devices this function Locks Bank1. * - For all other devices it Locks Bank1 and it is equivalent * to FLASH_Lock function. * @param None * @retval None */void FLASH_LockBank1(void){ /* Set the Lock Bit to lock the FPEC and the CR of Bank1 */ FLASH- >CR |= CR_LOCK_Set;}这段代码是用于锁定STM32的Bank1程序擦除控制器（Program Erase Controller）。以下是该代码的解释：该函数用于锁定STM32的Bank1程序擦除控制器，适用于所有STM32F10x系列的设备。对于STM32F10X_XL系列的设备，该函数锁定Bank1。对于其他设备，它锁定Bank1并等效于FLASH_Lock函数。该函数没有参数。函数的返回值为None。函数内部的操作是通过将CR_LOCK_Set（宏定义的值）设置到FLASH- >CR寄存器的LOCK位，从而锁定Bank1的访问权限。具体来说，使用按位或操作符将CR_LOCK_Set设置到FLASH- >CR寄存器的LOCK位，以锁定Flash的访问权限。/** * @brief Locks the FLASH Bank2 Program Erase Controller. * @note This function can be used only for STM32F10X_XL density devices. * @param None * @retval None */void FLASH_LockBank2(void){ /* Set the Lock Bit to lock the FPEC and the CR of Bank2 */ FLASH- >CR2 |= CR_LOCK_Set;}/** * @brief Locks the FLASH Program Erase Controller. * @note This function can be used for all STM32F10x devices. * - For STM32F10X_XL devices this function Locks Bank1 and Bank2. * - For all other devices it Locks Bank1 and it is equivalent * to FLASH_LockBank1 function. * @param None * @retval None */void FLASH_Lock(void){ /* Set the Lock Bit to lock the FPEC and the CR of Bank1 */ FLASH- >CR |= CR_LOCK_Set;#ifdef STM32F10X_XL /* Set the Lock Bit to lock the FPEC and the CR of Bank2 */ FLASH- >CR2 |= CR_LOCK_Set;#endif /* STM32F10X_XL */}/* Flash Control Register bits */#define CR_PG_Set ((uint32_t)0x00000001)#define CR_PG_Reset ((uint32_t)0x00001FFE) #define CR_PER_Set ((uint32_t)0x00000002)#define CR_PER_Reset ((uint32_t)0x00001FFD)#define CR_MER_Set ((uint32_t)0x00000004)#define CR_MER_Reset ((uint32_t)0x00001FFB)#define CR_OPTPG_Set ((uint32_t)0x00000010)#define CR_OPTPG_Reset ((uint32_t)0x00001FEF)#define CR_OPTER_Set ((uint32_t)0x00000020)#define CR_OPTER_Reset ((uint32_t)0x00001FDF)#define CR_STRT_Set ((uint32_t)0x00000040)#define CR_LOCK_Set ((uint32_t)0x00000080)这段代码定义了一些与Flash控制寄存器（Control Register）相关的位掩码（bits）。以下是这些位掩码的解释：1. CR_PG_Set和CR_PG_Reset： 用于编程Flash的位掩码。CR_PG_Set将FLASH- >CR寄存器的PG位设置为1，表示启用Flash编程访问。CR_PG_Reset将FLASH- >CR寄存器的PG位复位为0，表示禁用Flash编程访问。2. CR_PER_Set和CR_PER_Reset： 用于擦除Flash扇区的位掩码。CR_PER_Set将FLASH- >CR寄存器的PER位设置为1，表示启用Flash扇区擦除。CR_PER_Reset将FLASH- >CR寄存器的PER位复位为0，表示禁用Flash扇区擦除。3. CR_MER_Set和CR_MER_Reset： 用于擦除整个Flash存储器的位掩码。CR_MER_Set将FLASH- >CR寄存器的MER位设置为1，表示启用Flash全片擦除。CR_MER_Reset将FLASH- >CR寄存器的MER位复位为0，表示禁用Flash全片擦除。4. CR_OPTPG_Set和CR_OPTPG_Reset： 用于编程Flash选项字节的位掩码。CR_OPTPG_Set将FLASH- >CR寄存器的OPTPG位设置为1，表示启用Flash选项字节编程。CR_OPTPG_Reset将FLASH- >CR寄存器的OPTPG位复位为0，表示禁用Flash选项字节编程。5. CR_OPTER_Set和CR_OPTER_Reset： 用于擦除Flash选项字节的位掩码。CR_OPTER_Set将FLASH- >CR寄存器的OPTER位设置为1，表示启用Flash选项字节擦除。CR_OPTER_Reset将FLASH- >CR寄存器的OPTER位复位为0，表示禁用Flash选项字节擦除。6. CR_STRT_Set： 用于启动Flash操作的位掩码。CR_STRT_Set将FLASH- >CR寄存器的STRT位设置为1，表示启动Flash编程或擦除操作。7. CR_LOCK_Set： 用于锁定Flash的位掩码。CR_LOCK_Set将FLASH- >CR寄存器的LOCK位设置为1，表示锁定Flash的访问权限。这些位掩码用于在进行Flash编程、擦除和操作期间设置或复位Flash控制寄存器中的特定位。在实际应用中，可以根据需要使用这些位掩码来配置和控制Flash的操作。FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);这是三个函数用于擦除STM32的Flash存储器中的页面和选项字节。以下是这些函数的解释：1.FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address)： 该函数用于擦除指定地址的Flash存储器页面。Page_Address参数表示要擦除的页面的起始地址。函数返回一个FLASH_Status类型的值，表示擦除操作的状态。可能的返回值包括： - FLASH_COMPLETE：擦除操作成功完成。 - FLASH_BUSY：擦除操作正在进行中。 - FLASH_ERROR_WRP：擦除操作失败，由于写保护设置导致的错误。 - FLASH_ERROR_PG：擦除操作失败，由于编程错误导致的错误。2. FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void)： 该函数用于擦除Flash存储器中的所有页面。函数返回一个FLASH_Status类型的值，表示擦除操作的状态。3. FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void)： 该函数用于擦除Flash存储器中的选项字节。选项字节是一些用于配置Flash存储器和设备行为的特殊字节。函数返回一个FLASH_Status类型的值，表示擦除操作的状态。这些函数用于在运行时对Flash存储器进行擦除操作。在调用这些函数之前，请确保已经解锁Flash的访问权限（通过调用FLASH_Unlock函数）FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);这是三个函数用于将数据编程到STM32的Flash存储器中。以下是这些函数的解释：1.FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data)： 该函数用于将一个32位的数据（Data）编程到指定地址（Address）的Flash存储器中。函数返回一个FLASH_Status类型的值，表示编程操作的状态。2. FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data)： 该函数用于将一个16位的数据（Data）编程到指定地址（Address）的Flash存储器中。函数返回一个FLASH_Status类型的值，表示编程操作的状态。3. FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data)： 该函数用于将一个8位的数据（Data）编程到指定地址（Address）的Flash存储器的选项字节中。选项字节是一些用于配置Flash存储器和设备行为的特殊字节。函数返回一个FLASH_Status类型的值，表示编程操作的状态。这些函数可以在运行时使用，将数据编程到Flash存储器中。在调用这些函数之前，请确保已经解锁Flash的访问权限（通过调用FLASH_Unlock函数）。在编程之前，请确保已经擦除了要写入的Flash页面。FLASH_Status FLASH_EnableWriteProtection(uint32_t FLASH_Pages);
FLASH_Status FLASH_ReadOutProtection(FunctionalState NewState);
FLASH_Status FLASH_UserOptionByteConfig(uint16_t OB_IWDG, uint16_t OB_STOP, uint16_t OB_STDBY);
以下是这些函数的解释：
1.FLASH_Status FLASH_EnableWriteProtection(uint32_t FLASH_Pages)：
该函数用于启用Flash存储器中指定页面（FLASH_Pages）的写保护。写保护功能可以防止对特定页面的数据写入操作。函数返回一个FLASH_Status类型的值，表示操作的状态。
2.FLASH_Status FLASH_ReadOutProtection(FunctionalState NewState)：
该函数用于配置Flash存储器的读出保护功能。NewState参数用于启用或禁用读出保护功能。函数返回一个FLASH_Status类型的值，表示操作的状态。
3.FLASH_Status FLASH_UserOptionByteConfig(uint16_t OB_IWDG, uint16_t OB_STOP, uint16_t OB_STDBY)：
该函数用于配置用户选项字节（User Option Bytes），用于设置设备的特定选项。OB_IWDG、OB_STOP和OB_STDBY参数用于配置选项字节的不同选项。函数返回一个FLASH_Status类型的值，表示操作的状态。
这些函数用于在运行时对Flash存储器进行写保护、读出保护和配置选项字节的操作。在调用这些函数之前，请确保已经解锁Flash的访问权限（通过调用FLASH_Unlock函数）。
STM32库函数中FLASH获取相关设置结果的函数解析uint32_t FLASH_GetUserOptionByte(void);
uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void);
FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void);
FlagStatus FLASH_GetPrefetchBufferStatus(void);
以下是这些函数的解释：
1.uint32_t FLASH_GetUserOptionByte(void)：
该函数用于获取用户选项字节（User Option Bytes）的值。用户选项字节是用于设置设备的特定选项的字节。
2.uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void)：
该函数用于获取写保护选项字节的值。写保护选项字节用于配置Flash存储器中的写保护功能。
3.FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void)：
该函数用于获取Flash存储器的读出保护状态。返回的FlagStatus类型值表示读出保护是否已启用。
4.FlagStatus FLASH_GetPrefetchBufferStatus(void)：
该函数用于获取预取缓存器（Prefetch Buffer）的状态。返回的FlagStatus类型值表示预取缓存器是否已启用。
这些函数用于获取Flash存储器的信息,跟上面的函数作用相反
STM32库函数中FLASH有关中断配置以及执行状态获取的函数解析void FLASH_ITConfig(uint32_t FLASH_IT, FunctionalState NewState);
FlagStatus FLASH_GetFlagStatus(uint32_t FLASH_FLAG);
void FLASH_ClearFlag(uint32_t FLASH_FLAG);
FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);
以下是这些函数的解释：
1.void FLASH_ITConfig(uint32_t FLASH_IT, FunctionalState NewState)：
该函数用于配置Flash存储器的中断功能。FLASH_IT参数用于指定要配置的中断类型，NewState参数用于启用或禁用中断功能。
2.FlagStatus FLASH_GetFlagStatus(uint32_t FLASH_FLAG)：
该函数用于获取指定Flash标志位的状态。FLASH_FLAG参数用于指定要查询的标志位，返回的FlagStatus类型值表示标志位的状态。
3.void FLASH_ClearFlag(uint32_t FLASH_FLAG)：
该函数用于清除指定的Flash标志位。FLASH_FLAG参数用于指定要清除的标志位。
4.FLASH_Status FLASH_GetStatus(void)：
该函数用于获取Flash存储器的状态。
这些函数用于操作Flash存储器的中断和标志位。使用FLASH_ITConfig函数可以配置Flash存储器的中断功能，通过指定FLASH_IT参数来选择要配置的中断类型，通过NewState参数来启用或禁用中断。使用FLASH_GetFlagStatus函数可以获取指定标志位的状态，通过指定FLASH_FLAG参数来选择要查询的标志位，返回的FlagStatus类型值表示标志位的状态。使用FLASH_ClearFlag函数可以清除指定的标志位，通过指定FLASH_FLAG参数来选择要清除的标志位。
一般在进行FLASH之前会认为的清除对应标准确保FLASH处于未被操作的状态。也可以通过FLASH_GetStatus函数来获取Flash存储器的状态。
以便根据需要采取相应的处理措施。
返回值类型为 FLASH_Status，表示Flash存储器的操作状态。可能的返回值包括：
函数 FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout)用于等待Flash存储器上一次操作的完成。
该函数的参数 Timeout是等待超时的时间，单位为毫秒。如果上一次的Flash操作在指定的超时时间内完成，函数将返回 FLASH_COMPLETE，表示操作已完成。如果超过了指定的超时时间，函数将返回 FLASH_TIMEOUT，表示操作超时。
返回值类型为 FLASH_Status，表示Flash存储器的操作状态。可能的返回值包括：
通过调用该函数，并传入适当的超时时间，可以等待Flash存储器上一次操作的完成，并根据返回值判断操作的状态。这样可以确保在进行下一次Flash操作之前，上一次操作已经完成。确保程序执行的正确性。
STM32库函数中有关FLASH性能配置的几个函数void FLASH_SetLatency(uint32_t FLASH_Latency);void FLASH_HalfCycleAccessCmd(uint32_t FLASH_HalfCycleAccess);void FLASH_PrefetchBufferCmd(uint32_t FLASH_PrefetchBuffer);这三个函数用于配置STM32的Flash存储器访问性能和优化选项。以下是这些函数的解释：1. void FLASH_SetLatency(uint32_t FLASH_Latency)： 该函数用于设置Flash存储器的访问延迟（Latency）。Flash存储器的访问延迟是指在访问Flash数据时需要的等待周期数。FLASH_Latency参数是一个表示访问延迟的值，具体取决于系统时钟频率和Flash存储器的性能特性。2. void FLASH_HalfCycleAccessCmd(uint32_t FLASH_HalfCycleAccess)： 该函数用于配置Flash存储器的半周期访问。FLASH_HalfCycleAccess参数用于启用或禁用Flash存储器的半周期访问模式。在半周期访问模式下，访问Flash存储器的时钟周期被减半，可以提高Flash存储器的访问速度。参数FLASH_HalfCycleAccess可以是以下值之一： - FLASH_HalfCycleAccess_Enable：启用半周期访问模式。 - FLASH_HalfCycleAccess_Disable：禁用半周期访问模式。3. void FLASH_PrefetchBufferCmd(uint32_t FLASH_PrefetchBuffer)： 该函数用于配置Flash存储器的预取缓冲区。预取缓冲区是用于提前读取Flash数据的缓冲区，可以加速Flash数据的访问。FLASH_PrefetchBuffer参数用于启用或禁用Flash存储器的预取缓冲区。参数FLASH_PrefetchBuffer可以是以下值之一： - FLASH_PrefetchBuffer_Enable：启用预取缓冲区。 - FLASH_PrefetchBuffer_Disable：禁用预取缓冲区。这些函数可以根据需要在初始化阶段或运行时阶段调用，以配置Flash存储器的访问性能和优化选项。具体使用哪些函数以及参数取决于系统要求和性能需求。int main(void)
{
/*!< At this stage the microcontroller clock setting is already configured,
this is done through SystemInit() function which is calledfrom startup
file (startup_stm32f10x_xx.s) before to branch to application main.
To reconfigure the default setting of SystemInit() function, refer to
system_stm32f10x.c file
*/
/* Porgram FLASH Bank1 ********************************************************/
/* Unlock the Flash Bank1 Program Erase controller */
FLASH_UnlockBank1();
/* Define the number of page to be erased */
NbrOfPage = (BANK1_WRITE_END_ADDR - BANK1_WRITE_START_ADDR) / FLASH_PAGE_SIZE;
/* Clear All pending flags */
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
/* Erase the FLASH pages */
for(EraseCounter = 0; (EraseCounter < NbrOfPage) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE); EraseCounter++)
{
FLASHStatus = FLASH_ErasePage(BANK1_WRITE_START_ADDR + (FLASH_PAGE_SIZE * EraseCounter));
}
/* Program Flash Bank1 */
Address = BANK1_WRITE_START_ADDR;
while((Address < BANK1_WRITE_END_ADDR) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE))
{
FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, Data);
Address = Address + 4;
}
FLASH_LockBank1();
/* Check the correctness of written data */
Address = BANK1_WRITE_START_ADDR;
while((Address < BANK1_WRITE_END_ADDR) && (MemoryProgramStatus != FAILED))
{
if(( (__IO uint32_t) Address) != Data)
{
MemoryProgramStatus = FAILED;
}
Address += 4;
}
}
这段代码展示了一个主函数的示例，其中包含了对Flash的擦除、编程和数据验证操作。以下是对每个步骤的解释：
对系统进行初始化：在main函数之前，通过调用SystemInit()函数来配置微控制器的时钟设置和其他系统初始化。可以在system_stm32f10x.c文件中重新配置SystemInit()函数的默认设置。解锁Flash Bank1：调用FLASH_UnlockBank1()函数来解锁Flash Bank1的编程和擦除控制器，允许对其进行操作。计算需要擦除的页数：通过计算Flash可编程区域的起始地址和结束地址之间的页数，得到需要擦除的页数。每页的大小由FLASH_PAGE_SIZE定义。清除标志位：调用FLASH_ClearFlag()函数来清除Flash的待处理标志位，包括操作结束标志位(EOP)、编程错误标志位(PGERR)和写保护错误标志位(WRPRTERR)。擦除Flash页：使用循环结构，调用FLASH_ErasePage()函数来逐页擦除Flash。循环会检查擦除操作的状态，并在满足条件时继续进行下一页的擦除。编程Flash：使用循环结构，调用FLASH_ProgramWord()函数来逐字编程Flash。循环会检查编程操作的状态，并在满足条件时继续进行下一个地址的编程。加锁Flash Bank1：调用FLASH_LockBank1()函数来锁定Flash Bank1，防止进一步的编程和擦除操作。验证数据的正确性：使用循环结构，通过读取Flash中的数据与预期的数据进行比较，来验证数据的正确性。如果发现不一致的数据，则将MemoryProgramStatus标记为FAILED。这段代码展示了如何在主函数中执行Flash的擦除、编程和数据验证操作。在实际应用中，需要根据具体的需求和硬件配置进行相应的调整和错误处理。
在STM32F103C8T6上进行验证#define STM32PAGESIZE 1024 //一个页的字节数是1K//写数据到FLASH中并加上校验uint8_t STM32Flash_SaveParm(uint32_t Addr,uint8_t *pdata,uint16_t len){uint16_t i=0,Page;uint32_t tmpAddr,tmplen,Sum=0;if(Addr%4)return0;FLASH_Unlock();FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);tmpAddr = Addr-Addr%STM32PAGESIZE;if(Addr%STM32PAGESIZE){tmplen = len+Addr%STM32PAGESIZE-STM32PAGESIZE;Page = 1;}else{tmplen = len;Page = 0;}Page += tmplen/STM32PAGESIZE;if(tmplen%STM32PAGESIZE)Page++;for(i=0;i< Page;i++)FLASH_ErasePage(tmpAddr+i*STM32PAGESIZE);for(i=0;i< len;i++)Sum+=pdata[i];for(i=0;i< len/4;i++){FLASH_ProgramWord(Addr, *(uint32_t*)pdata);pdata +=4;Addr +=4;}if(len%4){uint8_t buf[4]={0},j;for(j=0;j< len%4;j++) buf[j]=*pdata++;FLASH_ProgramWord(Addr, *(uint32_t*)buf);Addr+=4;}FLASH_ProgramWord(Addr, Sum);FLASH_Lock();return0;}//读数据从FLASH中并计算校验uint8_t STM32Flash_ReadParm(uint32_t Addr,uint8_t *pdata,uint16_t len){uint16_t i;uint32_t Sum=0;uint8_t *qdata=pdata;if(Addr%4)return0;for(i=0;i< len/4;i++){*(uint32_t*)pdata=*(uint32_t*)Addr;Addr+=4;pdata+=4;}if(len%4){uint8_t buf[4]={0};*(uint32_t*)buf=*(uint32_t*)Addr;Addr+=4;for(i=0;i< len%4;i++)*pdata++=buf[i];}for(i=0;i< len;i++)Sum+=(*qdata++);if(Sum!=*(uint32_t*)Addr){return1;}return0;}标签：
